TSM10NC60CF C0G的供应商，TSM10NC60CF C0G规格参数，TSM10NC60CF C0G的PDF资料

TSM10NC60CF C0G /MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET

TSM10NC60CF C0G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:ITO-220S-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:1.700 g

TSM10NC60CF C0G

TSM10NC60CF C0G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市博浩通科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

TSM10NC60CF C0G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TSM10NC60CF C0G	MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET	Taiwan Semiconductor	285.99 Kbytes	共6页	无
TSM10NC60CF C0G	MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S	Taiwan Semiconductor Corporation	336.95 Kbytes	共6页	无
TSM10NC60CF C0G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道	Taiwan Semiconductor(台湾半导体)	336.95 Kbytes	共6页	无

TSM10NC60CF C0G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	TSM10NC60CF C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S	$1.74795
Mouser 贸泽电子	TSM10NC60CF C0G	Taiwan Semiconductor	MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET	4,000:¥4.7234 5,000:¥4.4748 10,000:¥4.3844
立创商城	TSM10NC60CF C0G	Taiwan Semiconductor(台湾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.5 10+:￥3.23 30+:￥3 100+:￥2.77 500+:￥2.66 1000+:￥2.61

TSM10NC60CF C0G的相关型号