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TSM10NC60CF C0G /MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET
TSM10NC60CF C0G的规格信息
TSM10NC60CF C0G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:ITO-220S-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:1.700 g

供应商TSM10NC60CF C0G
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TSM10NC60CF C0GMOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFETTaiwan SemiconductorTaiwan Semiconductor的LOGO285.99 Kbytes共6页TSM10NC60CF C0G的PDF下载地址
TSM10NC60CF C0GMOSFET N-CH 600V 10A ITO220STaiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation的LOGO336.95 Kbytes共6页TSM10NC60CF C0G的PDF下载地址
TSM10NC60CF C0G连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道Taiwan Semiconductor(台湾半导体)Taiwan Semiconductor(台湾半导体)的LOGO336.95 Kbytes共6页TSM10NC60CF C0G的PDF下载地址
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TSM10NC60CF C0GTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CH 600V 10A ITO220S$1.74795
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TSM10NC60CF C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET4,000:¥4.7234
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10,000:¥4.3844
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TSM10NC60CF C0GTaiwan Semiconductor(台湾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.5
10+:¥3.23
30+:¥3
100+:¥2.77
500+:¥2.66
1000+:¥2.61