TSM10NC60CF C0G的供应商，TSM10NC60CF C0G规格参数，TSM10NC60CF C0G的PDF资料

TSM10NC60CF C0G /MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET

TSM10NC60CF C0G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:ITO-220S-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:670 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:29 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:1.700 g

TSM10NC60CF C0G

TSM10NC60CF C0G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市博浩通科技有限公司	TSM10NC60CF C0G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	TSM10NC60CF C0G	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

TSM10NC60CF C0G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
TSM10NC60CF C0G	MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET	Taiwan Semiconductor	285.99 Kbytes	共6页	无
TSM10NC60CF C0G	MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S	Taiwan Semiconductor Corporation	336.95 Kbytes	共6页	无
TSM10NC60CF C0G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道	Taiwan Semiconductor(台湾半导体)	336.95 Kbytes	共6页	无

TSM10NC60CF C0G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	TSM10NC60CF C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S	$1.74795
Mouser 贸泽电子	TSM10NC60CF C0G	Taiwan Semiconductor	MOSFET 650V, 10A, 0.75 Single N-Channel Power MOSFET	4,000:¥4.7234 5,000:¥4.4748 10,000:¥4.3844
立创商城	TSM10NC60CF C0G	Taiwan Semiconductor(台湾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.5 10+:￥3.23 30+:￥3 100+:￥2.77 500+:￥2.66 1000+:￥2.61

TSM10NC60CF C0G的相关型号